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Si4484EY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
100
R DS(on) ( Ω )
0.034 at V GS = 10 V
0.040 at V GS = 6.0 V
I D (A)
6.9
6.4
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 175 °C Maximum Junction Temperature
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
D
S
S
S
1
2
3
8
7
6
D
D
D
G
4
5
D
G
Top View
S
Ordering Information: Si4484EY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4484EY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
100
± 20
Unit
V
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)
a
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
L = 0.1 mH
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
I AR
E AR
I S
P D
6.9
5.4
3.1
3.8
2.3
30
25
31
4.8
3.7
1.5
1.8
1.1
A
mJ
A
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
33
70
17
40
85
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71189
S09-1341-Rev. D, 13-Jul-09
www.vishay.com
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